maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / NTZD3155CT1H
Référence fabricant | NTZD3155CT1H |
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Numéro de pièce future | FT-NTZD3155CT1H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NTZD3155CT1H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N and P-Channel |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 540mA, 430mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 16V |
Puissance - Max | 250mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NTZD3155CT1H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NTZD3155CT1H-FT |
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