maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / QS6J3TR
Référence fabricant | QS6J3TR |
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Numéro de pièce future | FT-QS6J3TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
QS6J3TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 10V |
Puissance - Max | 1.25W |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Package d'appareils du fournisseur | TSMT6 (SC-95) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
QS6J3TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | QS6J3TR-FT |
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