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ON Semiconductor MVDF2C03HDR2G

Name: MVDF2C03HDR2G
Brand: ON Semiconductor
SKU: MVDF2C03HDR2G
Availability: InStock
Rating: 4.5 (11 reviews)

Numéro de pièce MFG: MVDF2C03HDR2G

quantité disponible: 51580 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MVDF2C03HDR2G.pdf

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MVDF2C03HDR2G Caractéristiques

Référence fabricant	MVDF2C03HDR2G
Numéro de pièce future	FT-MVDF2C03HDR2G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MVDF2C03HDR2G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N and P-Channel Complementary
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4.1A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	630pF @ 24V
Puissance - Max	2W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur	8-SOIC
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MVDF2C03HDR2G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MVDF2C03HDR2G-FT

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