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NXP USA Inc. PMDPB42UN,115
- Numéro de pièce MFG
- PMDPB42UN,115
- quantité disponible
- 47290 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
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- Date d'expédition
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- fabricant
- NXP USA Inc.
- Brève description
- - MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Matrices
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- PMDPB42UN,115.pdf
PMDPB42UN,115 Caractéristiques
| Référence fabricant | PMDPB42UN,115 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-PMDPB42UN,115 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| PMDPB42UN,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caractéristique FET | Logic Level Gate |
| Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.5nC @ 4.5V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 185pF @ 10V |
| Puissance - Max | 510mW |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
| Package d'appareils du fournisseur | DFN2020-6 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| PMDPB42UN,115 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | PMDPB42UN,115-FT |
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