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NXP USA Inc. PMDPB38UNE,115

Name: PMDPB38UNE,115
Brand: NXP USA Inc.
SKU: PMDPB38UNE,115
Availability: InStock
Rating: 4.7 (91 reviews)

Numéro de pièce MFG: PMDPB38UNE,115

quantité disponible: 58950 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: - MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: PMDPB38UNE,115.pdf

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PMDPB38UNE,115 Caractéristiques

Référence fabricant	PMDPB38UNE,115
Numéro de pièce future	FT-PMDPB38UNE,115
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
PMDPB38UNE,115 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	46 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.4nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	268pF @ 10V
Puissance - Max	510mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur	DFN2020-6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMDPB38UNE,115 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	PMDPB38UNE,115-FT

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