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Référence fabricant | AS6C3216-55TIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS6C3216-55TIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS6C3216-55TIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 32Mb (2M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 48-TSOP I |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C3216-55TIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS6C3216-55TIN-FT |
AS7C351232-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32SA-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BINTR
Alliance Memory, Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel