maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / AS7C351232-10BINTR
Référence fabricant | AS7C351232-10BINTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS7C351232-10BINTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS7C351232-10BINTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 16Mb (512K x 32) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS7C351232-10BINTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS7C351232-10BINTR-FT |
MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 AIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 XIT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107:P TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-093:K
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-093:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-107:K
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M8DA-107 IT:J
Micron Technology Inc.
MT41K1G8RKB-107:P
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel