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Alliance Memory, Inc. AS4C8M32S-6BINTR

Numéro de pièce MFG
AS4C8M32S-6BINTR
quantité disponible
27220 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Alliance Memory, Inc.
Brève description
- IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
AS4C8M32S-6BINTR.pdf
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AS4C8M32S-6BINTR Caractéristiques

Référence fabricant AS4C8M32S-6BINTR
Numéro de pièce future FT-AS4C8M32S-6BINTR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
AS4C8M32S-6BINTR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de mémoire Volatile
Format de mémoire DRAM
La technologie SDRAM
Taille mémoire 256Mb (8M x 32)
Fréquence d'horloge 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page 2ns
Temps d'accès 5ns
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 90-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur 90-TFBGA (8x13)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AS4C8M32S-6BINTR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange AS4C8M32S-6BINTR-FT

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