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Référence fabricant | AS4C16M16D2-25BIN |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C16M16D2-25BIN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C16M16D2-25BIN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 84-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 84-TFBGA (8x12.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M16D2-25BIN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C16M16D2-25BIN-FT |
MT41K128M8DA-107 IT:J
Micron Technology Inc.
MT41K1G8RKB-107:P
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107 IT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-107:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 AIT:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125 IT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-125:M
Micron Technology Inc.
XC4006E-2TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208M
Microsemi Corporation
M2GL050-1VFG400
Microsemi Corporation
10CX220YF780I5G
Intel
5CGXFC4F6M11I7N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2M35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-2
Intel