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Référence fabricant | AS4C8M32S-7BCNTR |
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Numéro de pièce future | FT-AS4C8M32S-7BCNTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AS4C8M32S-7BCNTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM |
Taille mémoire | 256Mb (8M x 32) |
Fréquence d'horloge | 143MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 2ns |
Temps d'accès | 5.4ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-TFBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C8M32S-7BCNTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AS4C8M32S-7BCNTR-FT |
MT41J256M8DA-093:K TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M8DA-107:K
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MT41J256M8DA-107:K TR
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MT41K128M8DA-107 IT:J
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MT41K1G8RKB-107:P
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MT41K256M8DA-107 IT:K
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MT41K256M8DA-107 IT:K TR
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MT41K256M8DA-107:K
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MT41K256M8DA-125 AIT:K
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MT41K256M8DA-125 AIT:K TR
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