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Référence fabricant | APTM10DSKM09T3G |
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Numéro de pièce future | FT-APTM10DSKM09T3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTM10DSKM09T3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 139A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 350nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
Puissance - Max | 390W |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SP3 |
Package d'appareils du fournisseur | SP3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTM10DSKM09T3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTM10DSKM09T3G-FT |
DMG6602SVTQ-7
Diodes Incorporated
DMN61D8LVTQ-7
Diodes Incorporated
DMN61D8LVT-13
Diodes Incorporated
DMN61D8LVTQ-13
Diodes Incorporated
DMG6601LVT-7
Diodes Incorporated
DMN3135LVT-7
Diodes Incorporated
DMN61D8LVT-7
Diodes Incorporated
DMG6602SVT-7
Diodes Incorporated
DMN1250UFEL-7
Diodes Incorporated
DMG5802LFX-7
Diodes Incorporated
LFE2-20SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4AC
Microchip Technology
5SGXEA3K2F40C1N
Intel
EP4SGX360KF40C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-3
Intel
5CEBA2U15I7
Intel