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Diodes Incorporated DMG6602SVT-7

Name: DMG6602SVT-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG6602SVT-7
Price: 0.08448 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (303 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMG6602SVT-7

quantité disponible: 23620 Pièces

Prix de référence: USD 0.08448

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMG6602SVT-7.pdf

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DMG6602SVT-7 Caractéristiques

Référence fabricant	DMG6602SVT-7
Numéro de pièce future	FT-DMG6602SVT-7
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMG6602SVT-7 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N and P-Channel
Caractéristique FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 15V
Puissance - Max	840mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur	TSOT-23-6
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG6602SVT-7 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMG6602SVT-7-FT

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