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Référence fabricant | FDMS3686S |
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Numéro de pièce future | FT-FDMS3686S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDMS3686S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A, 23A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1785pF @ 10V |
Puissance - Max | 1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | Power56 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS3686S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDMS3686S-FT |
APTM50AM38FTG
Microsemi Corporation
APTM50AM35FTG
Microsemi Corporation
APTM50AM24SG
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APTM20DUM04G
Microsemi Corporation
APTM20AM04FG
Microsemi Corporation
APTM120H29FG
Microsemi Corporation
APTM120H140FT1G
Microsemi Corporation
APTM120DU15G
Microsemi Corporation
APTM10HM19FT3G
Microsemi Corporation
APTM10HM05FG
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
LFEC33E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N3F40I2SG
Intel