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APTM120H29FG Image

Microsemi Corporation APTM120H29FG

Numéro de pièce MFG
APTM120H29FG
quantité disponible
34520 Pièces
Prix de référence
USD 179.90104
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
POWER MOS 7® MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
APTM120H29FG.pdf
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APTM120H29FG Caractéristiques

Référence fabricant APTM120H29FG
Numéro de pièce future FT-APTM120H29FG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries POWER MOS 7®
APTM120H29FG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 348 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 374nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
Puissance - Max 780W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse SP6
Package d'appareils du fournisseur SP6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTM120H29FG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange APTM120H29FG-FT

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