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Référence fabricant | FDPC8012S |
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Numéro de pièce future | FT-FDPC8012S |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PowerTrench® |
FDPC8012S Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A, 26A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 12A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1075pF @ 13V |
Puissance - Max | 800mW, 900mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerWDFN |
Package d'appareils du fournisseur | Powerclip-33 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDPC8012S Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FDPC8012S-FT |
APTMC120AM08CD3AG
Microsemi Corporation
APTM50HM75STG
Microsemi Corporation
APTC60HM70SCTG
Microsemi Corporation
APTM100H45SCTG
Microsemi Corporation
APTM50HM65FT3G
Microsemi Corporation
APTM50H14FT3G
Microsemi Corporation
APTM50AM38STG
Microsemi Corporation
APTM50AM38FTG
Microsemi Corporation
APTM50AM35FTG
Microsemi Corporation
APTM50AM24SG
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel