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Diodes Incorporated DMN61D8LVTQ-13

Name: DMN61D8LVTQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN61D8LVTQ-13
Price: 0.14424 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (219 reviews)

Numéro de pièce MFG: DMN61D8LVTQ-13

quantité disponible: 39410 Pièces

Prix de référence: USD 0.14424

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: DMN61D8LVTQ-13.pdf

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DMN61D8LVTQ-13 Caractéristiques

Référence fabricant	DMN61D8LVTQ-13
Numéro de pièce future	FT-DMN61D8LVTQ-13
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
DMN61D8LVTQ-13 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	630mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.74nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	12.9pF @ 12V
Puissance - Max	820mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur	TSOT-26
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN61D8LVTQ-13 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	DMN61D8LVTQ-13-FT

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