maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / DMN1250UFEL-7
Référence fabricant | DMN1250UFEL-7 |
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Numéro de pièce future | FT-DMN1250UFEL-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DMN1250UFEL-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 8 N-Channel, Common Gate, Common Source |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.9nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 190pF @ 6V |
Puissance - Max | 660mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 12-UFQFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | U-QFN1515-12 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN1250UFEL-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DMN1250UFEL-7-FT |
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