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Diodes Incorporated DMG5802LFX-7

Numéro de pièce MFG
DMG5802LFX-7
quantité disponible
61200 Pièces
Prix de référence
USD 0.22976
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Date d'expédition
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fabricant
Diodes Incorporated
Brève description
- MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
DMG5802LFX-7.pdf
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DMG5802LFX-7 Caractéristiques

Référence fabricant DMG5802LFX-7
Numéro de pièce future FT-DMG5802LFX-7
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
DMG5802LFX-7 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 24V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 31.3nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1066.4pF @ 15V
Puissance - Max 980mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 6-VFDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur W-DFN5020-6
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG5802LFX-7 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange DMG5802LFX-7-FT

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