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Référence fabricant | APTGLQ75H65T1G |
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Numéro de pièce future | FT-APTGLQ75H65T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APTGLQ75H65T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150A |
Puissance - Max | 250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 4.62nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | SP1 |
Package d'appareils du fournisseur | SP1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGLQ75H65T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APTGLQ75H65T1G-FT |
FP75R17N3E4BPSA1
Infineon Technologies
FS100R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
FS100R17KS4F
Infineon Technologies
FS75R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
VS-GB100LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB100TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB50LP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB50TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB75TP120N
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB75TP120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-3PQ208C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
10AX027E2F29I2SG
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5SGXEA5N3F45I4N
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LFE3-70EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40I3SG
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EP2AGZ350FF35I3
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