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VS-GB50TP120N Image

Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB50TP120N

Numéro de pièce MFG
VS-GB50TP120N
quantité disponible
61630 Pièces
Prix de référence
USD 58.497664
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
Brève description
- IGBT 1200V 100A 446W INT-A-PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
VS-GB50TP120N.pdf
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VS-GB50TP120N Caractéristiques

Référence fabricant VS-GB50TP120N
Numéro de pièce future FT-VS-GB50TP120N
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
VS-GB50TP120N Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT -
Configuration Half Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max 446W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 5mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 4.29nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse INT-A-PAK (3 + 4)
Package d'appareils du fournisseur INT-A-PAK
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GB50TP120N Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange VS-GB50TP120N-FT

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