maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FP75R17N3E4BPSA1
Référence fabricant | FP75R17N3E4BPSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FP75R17N3E4BPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FP75R17N3E4BPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 125A |
Puissance - Max | 555W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.8nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FP75R17N3E4BPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FP75R17N3E4BPSA1-FT |
FF600R12IP4VBOSA1
Infineon Technologies
FF600R12IS4F
Infineon Technologies
FF650R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VPBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4DBOSA2
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484Q
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA5K2F35C1N
Intel
A40MX04-PLG44
Microsemi Corporation
LFE2-12E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780I6N
Intel
EPF10K200SBC356-2X
Intel