maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FF650R17IE4DB2BOSA1
Référence fabricant | FF650R17IE4DB2BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FF650R17IE4DB2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | 2 Independent |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Puissance - Max | 4150W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 650A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FF650R17IE4DB2BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FF650R17IE4DB2BOSA1-FT |
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