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FF50R12RT4HOSA1 Image

Infineon Technologies FF50R12RT4HOSA1

Numéro de pièce MFG
FF50R12RT4HOSA1
quantité disponible
11270 Pièces
Prix de référence
USD 38.56
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- IGBT MODULE 1200V 50A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
FF50R12RT4HOSA1.pdf
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FF50R12RT4HOSA1 Caractéristiques

Référence fabricant FF50R12RT4HOSA1
Numéro de pièce future FT-FF50R12RT4HOSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
FF50R12RT4HOSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Configuration Half Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50A
Puissance - Max 285W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 50A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 1mA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur Module
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FF50R12RT4HOSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange FF50R12RT4HOSA1-FT

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