maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS100R07N2E4B11BOSA1
Référence fabricant | FS100R07N2E4B11BOSA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FS100R07N2E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS100R07N2E4B11BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 125A |
Puissance - Max | 20mW |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 6.2nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS100R07N2E4B11BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS100R07N2E4B11BOSA1-FT |
FF600R12IS4F
Infineon Technologies
FF650R17IE4DB2BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4PBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IE4VPBOSA1
Infineon Technologies
FF900R12IP4DBOSA2
Infineon Technologies
FF900R12IP4DVBOSA1
Infineon Technologies
XC3S400-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX08-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C6N
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
5SGXEA9N2F45I3LN
Intel
LFE2-12SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EP1S60F1508C7
Intel