maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / FS75R07N2E4B11BOSA1
Référence fabricant | FS75R07N2E4B11BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-FS75R07N2E4B11BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FS75R07N2E4B11BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
Puissance - Max | 250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 4.6nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FS75R07N2E4B11BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FS75R07N2E4B11BOSA1-FT |
FF650R17IE4DPB2BOSA1
Infineon Technologies
FF650R17IE4PBOSA1
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FF650R17IE4VBOSA1
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FF900R12IE4PBOSA1
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FF900R12IE4VBOSA1
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FF900R12IE4VPBOSA1
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FF900R12IP4DBOSA2
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FF900R12IP4DVBOSA1
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FF900R12IP4PBOSA1
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FF900R12IP4VBOSA1
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A40MX02-2VQG80I
Microsemi Corporation
XA2S150E-6FT256I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG256I
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EP3C40U484I7
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5SGXEA7N1F40C2
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10CX220YF672E5G
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10M50SCE144C8G
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XC2V1500-4FFG896I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I3SGE2
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