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Référence fabricant | APT11N80BC3G |
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Numéro de pièce future | FT-APT11N80BC3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
APT11N80BC3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 7.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 680µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1585pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 156W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 [B] |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT11N80BC3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | APT11N80BC3G-FT |
PMPB27EPAX
Nexperia USA Inc.
PMPB43XPEAX
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PMPB48EPAX
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PMPB100ENEAX
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PMPB100ENEX
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PMPB13XNE,115
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PMPB15XN,115
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PMPB15XPH
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PMPB15XPZ
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XC3S50A-4VQG100I
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