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Nexperia USA Inc. PMPB10XNE,115

Numéro de pièce MFG
PMPB10XNE,115
quantité disponible
75930 Pièces
Prix de référence
USD 0.169696
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Date d'expédition
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fabricant
Nexperia USA Inc.
Brève description
- MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
PMPB10XNE,115.pdf
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PMPB10XNE,115 Caractéristiques

Référence fabricant PMPB10XNE,115
Numéro de pièce future FT-PMPB10XNE,115
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
PMPB10XNE,115 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2175pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur DFN2020MD-6
Paquet / caisse 6-UDFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
PMPB10XNE,115 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange PMPB10XNE,115-FT

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