maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PMPB15XPZ
Référence fabricant | PMPB15XPZ |
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Numéro de pièce future | FT-PMPB15XPZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PMPB15XPZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 12V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 8.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2875pF @ 6V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DFN2020MD-6 |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB15XPZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMPB15XPZ-FT |
PMV16XNR
Nexperia USA Inc.
PMV30UN2R
Nexperia USA Inc.
NX7002AK,215
Nexperia USA Inc.
PMV20ENR
Nexperia USA Inc.
PMV37EN2R
Nexperia USA Inc.
BSH205G2R
Nexperia USA Inc.
NX7002BKR
Nexperia USA Inc.
BSH114,215
Nexperia USA Inc.
PMV20XNER
Nexperia USA Inc.
PMV65XPEAR
Nexperia USA Inc.
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel