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Référence fabricant | PMPB43XPEAX |
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Numéro de pièce future | FT-PMPB43XPEAX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
PMPB43XPEAX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48 mOhm @ 5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1.55nF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DFN2020MD-6 |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB43XPEAX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMPB43XPEAX-FT |
PMBF170,215
Nexperia USA Inc.
BSH111BKR
Nexperia USA Inc.
BSN20BKR
Nexperia USA Inc.
BSH203,215
Nexperia USA Inc.
NX3020NAK,215
Nexperia USA Inc.
2N7002P,235
Nexperia USA Inc.
2N7002CK,215
Nexperia USA Inc.
BSH201,215
Nexperia USA Inc.
PMV16XNR
Nexperia USA Inc.
PMV30UN2R
Nexperia USA Inc.
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
Microsemi Corporation
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
Intel
EP2AGX125DF25C5N
Intel
5SGXMA7N2F45I2N
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F780C4
Intel