maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSN20BKR
Référence fabricant | BSN20BKR |
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Numéro de pièce future | FT-BSN20BKR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSN20BKR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 265mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.49nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 20.2pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 310mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSN20BKR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSN20BKR-FT |
BUK964R7-80E,118
Nexperia USA Inc.
BUK966R5-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK968R3-40E,118
NXP USA Inc.
BUK969R3-100E,118
Nexperia USA Inc.
PHB101NQ04T,118
NXP USA Inc.
PHB108NQ03LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ06LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08LT,118
NXP USA Inc.
PHB110NQ08T,118
Nexperia USA Inc.
PHB112N06T,118
NXP USA Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
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Intel
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