maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK969R3-100E,118
Référence fabricant | BUK969R3-100E,118 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK969R3-100E,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK969R3-100E,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 94.3nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11650pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 263W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK969R3-100E,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK969R3-100E,118-FT |
PSMN4R5-40BS,118
Nexperia USA Inc.
BUK662R5-30C,118
Nexperia USA Inc.
BUK7675-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK9640-100A,118
Nexperia USA Inc.
BUK965R4-40E,118
Nexperia USA Inc.
PHB21N06LT,118
Nexperia USA Inc.
PHB45NQ15T,118
Nexperia USA Inc.
PSMN034-100BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN070-200B,118
Nexperia USA Inc.
BUK664R6-40C,118
Nexperia USA Inc.
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel