maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK662R5-30C,118
Référence fabricant | BUK662R5-30C,118 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK662R5-30C,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK662R5-30C,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6960pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 204W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK662R5-30C,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK662R5-30C,118-FT |
PSMN1R3-30YL,115
Nexperia USA Inc.
BUK9635-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK663R2-40C,118
Nexperia USA Inc.
BUK765R3-40E,118
Nexperia USA Inc.
BUK9614-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK96180-100A,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R8-100BS,118
Nexperia USA Inc.
BUK6610-75C,118
Nexperia USA Inc.
BUK763R9-60E,118
Nexperia USA Inc.
A1020B-2VQ80I
Microsemi Corporation
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
5SGXMB6R2F40I2N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP2AGX125DF25I3N
Intel
XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel