maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK765R3-40E,118
Référence fabricant | BUK765R3-40E,118 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK765R3-40E,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK765R3-40E,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2772pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 137W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK765R3-40E,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK765R3-40E,118-FT |
BUK9524-55A,127
NXP USA Inc.
BUK9528-100A,127
NXP USA Inc.
BUK9528-55A,127
NXP USA Inc.
BUK9529-100B,127
Nexperia USA Inc.
BUK952R3-40E,127
NXP USA Inc.
BUK952R8-30B,127
Nexperia USA Inc.
BUK952R8-60E,127
NXP USA Inc.
BUK9535-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK9535-55,127
NXP USA Inc.
BUK9535-55A,127
Nexperia USA Inc.
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel