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Référence fabricant | PHB45NQ15T,118 |
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Numéro de pièce future | FT-PHB45NQ15T,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
PHB45NQ15T,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 45.1A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 230W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PHB45NQ15T,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PHB45NQ15T,118-FT |
BUK96180-100A,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R3-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN3R8-100BS,118
Nexperia USA Inc.
BUK6610-75C,118
Nexperia USA Inc.
BUK763R9-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK765R0-100E,118
Nexperia USA Inc.
BUK964R8-60E,118
Nexperia USA Inc.
BUK9628-55A,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R3-30BL,118
Nexperia USA Inc.
BUK761R7-40E,118
Nexperia USA Inc.
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel