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Référence fabricant | PSMN4R3-30BL,118 |
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Numéro de pièce future | FT-PSMN4R3-30BL,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PSMN4R3-30BL,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2400pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 103W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PSMN4R3-30BL,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PSMN4R3-30BL,118-FT |
BUK953R2-40B,127
Nexperia USA Inc.
BUK953R2-40E,127
NXP USA Inc.
BUK953R5-60E,127
Nexperia USA Inc.
BUK9540-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK954R2-55B,127
Nexperia USA Inc.
BUK954R4-40B,127
Nexperia USA Inc.
BUK954R4-80E,127
NXP USA Inc.
BUK954R8-60E,127
Nexperia USA Inc.
BUK956R1-100E,127
NXP USA Inc.
BUK9575-100A,127
Nexperia USA Inc.
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel