maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK964R8-60E,118
Référence fabricant | BUK964R8-60E,118 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK964R8-60E,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
BUK964R8-60E,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9710pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 234W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK964R8-60E,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK964R8-60E,118-FT |
BUK9535-55,127
NXP USA Inc.
BUK9535-55A,127
Nexperia USA Inc.
BUK953R2-40B,127
Nexperia USA Inc.
BUK953R2-40E,127
NXP USA Inc.
BUK953R5-60E,127
Nexperia USA Inc.
BUK9540-100A,127
Nexperia USA Inc.
BUK954R2-55B,127
Nexperia USA Inc.
BUK954R4-40B,127
Nexperia USA Inc.
BUK954R4-80E,127
NXP USA Inc.
BUK954R8-60E,127
Nexperia USA Inc.
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel