maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BUK968R3-40E,118
Référence fabricant | BUK968R3-40E,118 |
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Numéro de pièce future | FT-BUK968R3-40E,118 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMOS™ |
BUK968R3-40E,118 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 20.9nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 96W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK968R3-40E,118 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BUK968R3-40E,118-FT |
PSMN3R4-30BLE,118
Nexperia USA Inc.
PSMN4R5-40BS,118
Nexperia USA Inc.
BUK662R5-30C,118
Nexperia USA Inc.
BUK7675-55A,118
Nexperia USA Inc.
BUK9640-100A,118
Nexperia USA Inc.
BUK965R4-40E,118
Nexperia USA Inc.
PHB21N06LT,118
Nexperia USA Inc.
PHB45NQ15T,118
Nexperia USA Inc.
PSMN034-100BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN070-200B,118
Nexperia USA Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation