maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / PMPB48EPAX
Référence fabricant | PMPB48EPAX |
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Numéro de pièce future | FT-PMPB48EPAX |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
PMPB48EPAX Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.7A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 4.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DFN2020MD-6 |
Paquet / caisse | 6-UDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMPB48EPAX Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PMPB48EPAX-FT |
BSH111BKR
Nexperia USA Inc.
BSN20BKR
Nexperia USA Inc.
BSH203,215
Nexperia USA Inc.
NX3020NAK,215
Nexperia USA Inc.
2N7002P,235
Nexperia USA Inc.
2N7002CK,215
Nexperia USA Inc.
BSH201,215
Nexperia USA Inc.
PMV16XNR
Nexperia USA Inc.
PMV30UN2R
Nexperia USA Inc.
NX7002AK,215
Nexperia USA Inc.
XC3S50-4TQG144I
Xilinx Inc.
XC3S5000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1FG484I
Xilinx Inc.
A54SX16A-1FG256
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
AT6005LV-4AC
Microchip Technology
EP3SL200H780I4L
Intel
LFEC6E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel