maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AON6411
Référence fabricant | AON6411 |
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Numéro de pièce future | FT-AON6411 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON6411 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 47A (Ta), 85A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10290pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 7.3W (Ta), 156W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6411 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON6411-FT |
C2M1000170D
Cree/Wolfspeed
C2M0280120D
Cree/Wolfspeed
C2M0080120D
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C3M0065090D
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C3M0120090D
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C3M0280090D
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