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Cree/Wolfspeed C2M0160120D

Numéro de pièce MFG
C2M0160120D
quantité disponible
42740 Pièces
Prix de référence
USD 7
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Date d'expédition
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fabricant
Cree/Wolfspeed
Brève description
Z-FET™ MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
C2M0160120D.pdf
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C2M0160120D Caractéristiques

Référence fabricant C2M0160120D
Numéro de pièce future FT-C2M0160120D
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Z-FET™
C2M0160120D Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) 1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 19A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 32.6nC @ 20V
Vgs (Max) +25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 527pF @ 800V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247-3
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
C2M0160120D Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange C2M0160120D-FT

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