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Diodes Incorporated ZXMN10A25GTA

Name: ZXMN10A25GTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A25GTA
Price: 0.45408 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (527 reviews)

Numéro de pièce MFG: ZXMN10A25GTA

quantité disponible: 58860 Pièces

Prix de référence: USD 0.45408

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Diodes Incorporated

Brève description: - MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: ZXMN10A25GTA.pdf

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ZXMN10A25GTA Caractéristiques

Référence fabricant	ZXMN10A25GTA
Numéro de pièce future	FT-ZXMN10A25GTA
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
ZXMN10A25GTA Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2.9A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	859pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-223
Paquet / caisse	TO-261-4, TO-261AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ZXMN10A25GTA Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	ZXMN10A25GTA-FT

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