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Cree/Wolfspeed C3M0120090D

Numéro de pièce MFG
C3M0120090D
quantité disponible
90840 Pièces
Prix de référence
USD 5.4
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Date d'expédition
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fabricant
Cree/Wolfspeed
Brève description
C3M™ 900V 120 MOHM G3 SIC MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
C3M0120090D.pdf
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C3M0120090D Caractéristiques

Référence fabricant C3M0120090D
Numéro de pièce future FT-C3M0120090D
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries C3M™
C3M0120090D Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) 900V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17.3nC @ 15V
Vgs (Max) +18V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 600V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 97W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247-3
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
C3M0120090D Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange C3M0120090D-FT

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