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Cree/Wolfspeed C2M0280120D

Name: C2M0280120D
Brand: Cree/Wolfspeed
SKU: C2M0280120D
Price: 4.56 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (206 reviews)

Numéro de pièce MFG: C2M0280120D

quantité disponible: 90010 Pièces

Prix de référence: USD 4.56

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Cree/Wolfspeed

Brève description: Z-FET™ MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: C2M0280120D.pdf

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C2M0280120D Caractéristiques

Référence fabricant	C2M0280120D
Numéro de pièce future	FT-C2M0280120D
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Z-FET™
C2M0280120D Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	370 mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1.25mA (Typ)
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20.4nC @ 20V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	259pF @ 1000V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	62.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247-3
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
C2M0280120D Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	C2M0280120D-FT

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