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Cree/Wolfspeed C2M1000170D

Numéro de pièce MFG
C2M1000170D
quantité disponible
33310 Pièces
Prix de référence
USD 4.416
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Date d'expédition
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fabricant
Cree/Wolfspeed
Brève description
Z-FET™ MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
C2M1000170D.pdf
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C2M1000170D Caractéristiques

Référence fabricant C2M1000170D
Numéro de pièce future FT-C2M1000170D
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Z-FET™
C2M1000170D Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension source (Vdss) 1700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 2A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 20V
Vgs (Max) +25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 191pF @ 1000V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 69W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247-3
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
C2M1000170D Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange C2M1000170D-FT

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