maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON4807
Référence fabricant | AON4807 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-AON4807 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON4807 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.9W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (3x2) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON4807 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON4807-FT |
AUIRFN8459TR
Infineon Technologies
BSZ215CHXTMA1
Infineon Technologies
BSZ0909NDXTMA1
Infineon Technologies
BSZ0910NDXTMA1
Infineon Technologies
BSZ15DC02KDHXTMA1
Infineon Technologies
BSC0911NDATMA1
Infineon Technologies
BSC0910NDIATMA1
Infineon Technologies
BSC0921NDIATMA1
Infineon Technologies
BSC0923NDIATMA1
Infineon Technologies
BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
A1020B-1PQ100I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
5AGZME7K2F40C3N
Intel
5SGXEB6R2F43I3L
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
EP3SE80F1152C2N
Intel
XC2V1000-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC4036XL-2HQ208C
Xilinx Inc.
XC7K480T-2FFG1156C
Xilinx Inc.