maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / BSC0911NDATMA1
Référence fabricant | BSC0911NDATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSC0911NDATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSC0911NDATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caractéristique FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18A, 30A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 12V |
Puissance - Max | 1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TISON-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC0911NDATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSC0911NDATMA1-FT |
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