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Infineon Technologies BSC0910NDIATMA1

Name: BSC0910NDIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC0910NDIATMA1
Price: 0.779408 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (620 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSC0910NDIATMA1

quantité disponible: 11430 Pièces

Prix de référence: USD 0.779408

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSC0910NDIATMA1.pdf

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BSC0910NDIATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSC0910NDIATMA1
Numéro de pièce future	FT-BSC0910NDIATMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
BSC0910NDIATMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss)	25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	11A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 12V
Puissance - Max	1W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur	PG-TISON-8
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC0910NDIATMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSC0910NDIATMA1-FT

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