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Infineon Technologies BSZ15DC02KDHXTMA1

Name: BSZ15DC02KDHXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ15DC02KDHXTMA1
Price: 0.35112 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (671 reviews)

Numéro de pièce MFG: BSZ15DC02KDHXTMA1

quantité disponible: 57560 Pièces

Prix de référence: USD 0.35112

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: BSZ15DC02KDHXTMA1.pdf

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BSZ15DC02KDHXTMA1 Caractéristiques

Référence fabricant	BSZ15DC02KDHXTMA1
Numéro de pièce future	FT-BSZ15DC02KDHXTMA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
BSZ15DC02KDHXTMA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N and P-Channel Complementary
Caractéristique FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss)	20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5.1A, 3.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 110µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.8nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	419pF @ 10V
Puissance - Max	2.5W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Package d'appareils du fournisseur	PG-TSDSON-8-FL
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ15DC02KDHXTMA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	BSZ15DC02KDHXTMA1-FT

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