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BSZ0910NDXTMA1 Image

Infineon Technologies BSZ0910NDXTMA1

Numéro de pièce MFG
BSZ0910NDXTMA1
quantité disponible
61660 Pièces
Prix de référence
USD 0.435272
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ DIFFERENTIATED MOSFETS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSZ0910NDXTMA1.pdf
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BSZ0910NDXTMA1 Caractéristiques

Référence fabricant BSZ0910NDXTMA1
Numéro de pièce future FT-BSZ0910NDXTMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
BSZ0910NDXTMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 15V
Puissance - Max 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-PowerVDFN
Package d'appareils du fournisseur PG-WISON-8
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ0910NDXTMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSZ0910NDXTMA1-FT

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