maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / 94-2386
Référence fabricant | 94-2386 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-94-2386 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
94-2386 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 49A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.5 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1470pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.8W (Ta), 94W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
94-2386 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 94-2386-FT |
IPB042N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB049NE7N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB054N06N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB054N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB080N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB081N06L3GATMA1
Infineon Technologies
IPB100N04S204ATMA4
Infineon Technologies
IPB100N04S303ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N06S205ATMA4
Infineon Technologies
IPB120N04S401ATMA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1PQG240
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
XC4020E-4HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230HF35C2
Intel